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	120V SGT工藝N-Channel MOSFET

      




      
	
      
	    120V SGT工藝N-Channel MOSFET
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        新產(chǎn)品宣告
          
      

      




      
   
      
   
      
       產(chǎn)品介紹
       1.采用揚(yáng)杰科技SGT特殊工藝制程，根據(jù)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用要求，優(yōu)化導(dǎo)通內(nèi)阻（Rdson)和 柵極電荷（Qg)性能，降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率； 
      
2.解決高速Gan電源應(yīng)用時(shí)di/dt大帶來的副邊電壓尖峰高的問題，提升產(chǎn)品整體的可靠性。      
   
      
   
      
       產(chǎn)品特點(diǎn)
       1.采用揚(yáng)杰科技SGT特殊工藝制程設(shè)計(jì)，具有更高的工藝穩(wěn)定性和可靠性； 
      
2.系列產(chǎn)品具有更快的開關(guān)速度，更小的柵電荷和更高的應(yīng)用效率； 
      
3.采用PDFN5060封裝，更好的熱阻特性。      
   
      

      






      
  規(guī)格書  
  
      YJG88G12A
      

      

      







      
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